400G シリーズ光モジュールのさまざまな光チップ間の利点と欠点の比較:
帯域幅に関しては、EML 帯域幅に関する現在の研究では、シリコン フォトニクス MZM が 50 GHz であるのに対し、EML 帯域幅は 60 GHz に達する可能性があることが示されています。
伝送速度、VCSELは短距離100M、EMLは2km、10km、40kmをサポートできます。 500M、2kmではシリコンライトが有利です。
コストの点では、EML は比較的高価です。 バッチ能力の点では、シリコン フォトニクスの CMOS プラットフォームはオプトエレクトロニクスのハイブリッド統合を実現でき、高い量産能力が保証されます。
400G シリーズ光モジュール ソリューションの概要:
の光モジュールVCSEL チップをベースにした製品には、短距離 100m 用の 400G SR8/SR4.2 製品があります。 EMLチップに基づく光モジュール製品は100G、100G DR1/FR1/LR1/ER1、400G DR4/FR4、400G LR4です。 MZM (SiPh) チップを搭載した製品は 100G DR1/FR1、400G DR4、400G-ZR です。
単波 100G シリコン光ソリューションと EML ソリューションの消費電力と性能の違いを比較すると、単波 100G EML の消費電力は 4.5W であるのに対し、単波 100G シリコン光ソリューションは 3.5W 以内に制御されています。 同時に、光学アイ ダイアグラムのパフォーマンスに関して、シリコン フォトニクスは単波 100G および 400G DR4 のパフォーマンス要件も満たします。 シリコンフォトニクスの利点は、MZM+SSC+PDを統合できる高集積性にあります。 シリコン フォトニクスには欠点があり、結合挿入損失が大きいため、高出力の CW および DFB が必要です。
400G DR4EML と SiPh の比較、400G DR4 EML の消費電力は 12W。 400G DR4 SiPhL の消費電力は 10W 未満です。 DR4 シリコン フォトニクスの利点は、2 つの CW DFB のみが必要で、マルチチャネル統合、4CH MZM+SSC+4CH P をサポートしているため、消費電力とコストの面で利点があることです。
データセンターの光相互接続 DCI 需要は急速に成長しています。 コヒーレントなテクノロジーに基づいており、これは標準的な技術ソリューションとなっています。100GB/s、200GB/s、400GB/sの長距離伝送。 超長距離の初期ソリューションから首都圏ネットワークまで、近年特に注目されているアクセスネットワークの伝送市場やデータセンター間の高速相互接続市場では、400G ZR規格の急速な進化が進んでいます。とZR+が進んでいます。
