ワイドバンドギャップ半導体紫外線検出器は、最先端技術として、過去10年間、国際的な化合物半導体の研究開発の分野でホットスポットとなっています。 その中で、従来の紫外線検出器は成熟してきました。
紫外線検出：主要な西側諸国は、ワイドギャップ半導体紫外線アバランシェ光検出器の研究を常に非常に重要視してきました。 長年にわたり、彼らは対応する研究を実施するために多くの研究資源を投資してきました、そして多くの高度な結果が現れました。 私の国のGG＃39; SicベースのUV検出器に関する研究は比較的遅れて開始されましたが、ワイドギャップ半導体UV APDの分野の研究レベルは、国際的な先進レベルに大きく遅れをとっていません。 ワイドバンドギャップ半導体基板とエピタキシャル技術、ワイドバンドギャップ半導体オプトエレクトロニクスデバイスの設計とマイクロプロセッシング技術、UV単一光子検出器のパッケージング、テストと回路サポート技術などは、小ロット生産と機器アプリケーションを実現し、促進するために重要です。情報技術の開発それは国家の安全を守る上で重要な役割を果たしています。
半導体照明：過去10年間で、世界のLED市場は拡大しています。 米国、日本、ヨーロッパは世界をリードする立場にあり、主要な技術とコア特許のほとんどを習得しています。 国内の半導体照明チップ技術の開発は海外に比べて比較的遅れて開始されており、技術レベルは依然として国際的なリーダーから一定の距離にあります。 しかし、近年、国内の照明レベルのLEDチップ技術の研究、開発、工業化も大きな進歩を遂げています。
量子デバイス：現在、国際的なフロンティアホットスポットは、スピンまたは偏光特性も備えたIII-VおよびIII窒化物半導体量子ドット構造に基づく単一光子光源の研究です。 制御可能なサイズと整然とした配置を備えたIII-V半導体量子ドットの成長を実現する方法は、常に業界のホットスポットでした。 光指向性伝送の分野では、現在、主な研究は、深紫外線リソグラフィー、電子ビームリソグラフィー（EBL）、ナノインプリンティング、およびその他の技術を使用して、III-VまたはIII窒化物半導体テンプレートを処理して光学的に設計された周期的アレイ構造を作成しています。
