400Gシリーズ光学モジュールにおける異なる光チップ間の利点と欠点の比較:
帯域幅の観点から、EML帯域幅に関する現在の研究では、60GHzに達することができるのに対し、シリコンフォトニクスのMZMは50GHzに達することができることが示されています。
伝送速度、VCSELは短距離で100M、EMLは2km、10km、40kmをサポートすることができます。シリコンライトは500Mと2キロメートルの利点を持っています。
コストの面では、EMLは比較的高価です。バッチ容量の面では、シリコンフォトニクスのCMOSプラットフォームは、オプトエレクトロニクスのハイブリッド統合を達成することができ、高い量産能力が保証されます。
400Gシリーズ光学モジュールソリューションの概要:
VCSELチップをベースにした光モジュール製品は、短距離100mで400G SR8/SR4.2製品を搭載しています。EMLチップをベースにした光モジュール製品は100G、100G DR1/FR1/LR1/ER1、400G DR4/FR4、400G LR4です。MZM(SiPh)チップ製品に基づく100G DR1/FR1、400G DR4、400G-ZRです。
単波100Gシリコン光学ソリューションとEMLソリューションの消費電力と性能の差を比較すると、シングルウェーブ100G EML消費電力は4.5W、シングルウェーブ100Gシリコン光学ソリューションは3.5W以内で制御されています。同時に、2つの光学眼図性能の点では、シリコンフォトニクスは単波100Gおよび400G DR4の性能要件を満たすこともできます。シリコンフォトニクスの利点は、MZM + SSC + PDを統合できる高集積にあり、シリコンフォトニクスには欠点があり、高出力CWとDFBを必要とする大きなカップリング挿入損失があります。
400G DR4 EML は、SiPh と比較して、400G DR4 EML 消費電力は 12W です。400G DR4 SiPhL消費電力は10W未満です。DR4シリコンフォトニクスの利点は、それが唯一の2つのCW DfBを必要とし、マルチチャネル統合、4CH MZM + SSC + 4CH Pをサポートするので、消費電力とコストの利点を有していることです。
データセンターの光相互接続DCIの需要は急速に高まっています。コヒーレントな技術をベースに、100GB/秒、200 GB/秒、および400 GB/秒の長距離伝送のための標準的な技術的ソリューションとなっています。超長距離の初期ソリューションから首都圏ネットワークまでは、アクセスネットワークの伝送市場と、近年特に懸念されているデータセンター間の高速相互接続市場が400G ZR規格を急速に進め、ZR+が進んでいます。
800Gを期待して、2021年に製品を発売する予定です
次世代800Gプラグ可能光モジュールは、次の3つのステップに分かれています。
ステップ1:100Gセルデス、DSP PAM4 8 in 8 out、光ポート100G/l、8x100G製品---2021年に発売
ステップ2:100Gセルデス+ギアボックス、DSP PAM4 8 in 4 out、光ポート200G /l、4x200G製品---2023年に発売
ステップ3:200Gセルデス、DSP PAM4 4 in 4 out、光ポート200G/l、4x200G製品---2025発売。
200G光電子チップの見通しを踏まえ、2022年には200G/l関連のオプトエレクトロニクスチップの準備が整い、1.6T(8*200G)のプラグ可能な光モジュールのみを実装し、102.4Tスイッチの開発を推進することが期待されます。100G/l光学デバイスをベースにした出荷は約10年間続きます。100G/l光学デバイスをベースにした出荷は約10年続きます。
