グローバル100G光トランシーバーの市場分析

100G光トランシーバーテクノロジーの反復

100Gトランシーバーは、ハイパースケールのデータセンターとクラウドサービスによるネットワーク帯域幅の飽くなきニーズにより、小型、高周波数、超大容量に開発されています。 100Gトランシーバー技術の進歩を見てみましょう。

小さいフォームファクター

市場でトップの100Gトランシーバーフォームファクターはどれですか？

CXP、CFP、CFP2、CFP4、QSFP28、およびCPAKは、最もコンパクトなサイズで消費電力が少ない100G QSFP28モジュールであり、データセンターや企業で選択される主要な100Gモジュールです。 各100Gトランシーバーの仕様を次の表に示します。

より統合されたチップ

光トランシーバチップは、光ファイバを使用してデータを送受信する集積回路（IC）です。 それは光トランシーバーの心臓部であり、メーカーが乗り越えるのが難しいと感じる技術的な障壁であり続けます。 通常、光トランシーバーのチップは、特殊な半導体材料を使用して作成されます。 ただし、ネットワーク、特にクラウドアプリケーションでの光トランシーバーの大量消費は、より高いトランシーバー性能、高度な変調、および長距離伝送を必要としています。 シリコンフォトニクス光トランシーバーは、サイズを縮小し、集積密度を高め、トランシーバーの消費電力を削減することが期待されています。 100G PSM4および100G CWDM4を含む100Gシリコンフォトニクス製品は、シングルモード伝送を促進するために市販されており、これらのトランシーバーの展開は、データセンターおよびクラウドアプリケーションで成長し続けます。

より簡素化されたパッケージング

フリップチップやBOXなどの他のパッケージングテクノロジーと比較して、COB（チップオンボード）は、より小さなフォームファクターと高密度を実現するのに役立つため、高速マルチモード40G / 100Gデータセンター光トランシーバーモジュールでより広く使用されています。 COBは非ハーメチックパッケージであり、ゴムパッチテクノロジー（エポキシダイボンディング）を適用して、PCB上のチップまたは光学部品を固定します。その後、金線ボンディングは電気接続を使用し、上部をドリップグルーシールします。 COBパッケージングの顕著な利点は、統合シリコンフォトニクスのパッケージ化に自動化および使用できることで、コスト削減、生産精度要件の低減、物理スペースの削減が可能です。

100G光トランシーバーの採用がプライムタイムに到達

100G光トランシーバーメーカーは、製品の改良とその汎用性の向上を競い合い、サーバーとToRスイッチ間での25GEの継続的な採用により、25GEの採用者は100GEにアップグレードすることになります。 100Gスイッチポートの出荷数は40Gスイッチポートの出荷数を上回ります。25Gサーバーと100Gスイッチは、以前の10Gサーバーと40Gスイッチに代わるほとんどのハイパースケールデータセンターで一般的になったためです。採択。 それどころか、40GEの市場は急速に縮小する傾向にありますが、10GEの需要は横ばいにしか成長しません。 技術的または互換性の問題、または低コストのために100Gを使用できない場合にのみ、40Gが展開されると予測されています。 そうは言っても、100G光モジュールは、供給のボトルネックが解消されつつあるため、引き続き堅調に推移します。

少数の主要顧客と100Gトランシーバーの注文を競う多数のサプライヤにより、間違いなく100GEモジュールのコストを削減し、40Gと100Gのコスト差をさらに小さくします。

概要

情報技術（IT）データの指数関数的な成長により、高速伝送および技術のアップグレードに対する需要が大幅に増加しています。 ハイパースケーラーとクラウドビルダーの場合、100GEは十分な帯域幅に近い場所ではないため、今後数年間で200 / 400GEが計画される可能性があります。 この記事の100Gのトレンドと開発に関する情報は、単に参考資料を提供するものであり、100G光トランシーバーの購入やネットワークインフラストラクチャのアップグレードに関する意思決定を容易にするのに役立つことを願っています。

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